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當前位置:首頁產品中心TEM氮(dan)化(hua)硅薄膜(mo)窗(chuang)口

TEM氮化硅薄膜窗口

產品簡介

與X射線用(yong)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)窗(chuang)(chuang)口(kou)(kou)類似(si),透射電鏡(TEM)用(yong)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)薄(bo)膜(mo)窗(chuang)(chuang)口(kou)(kou)也使用(yong)低應力氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)薄(bo)膜(mo)基底(di)。但整體尺度更小,適(shi)合TEM裝樣的要求。窗(chuang)(chuang)口(kou)(kou)有(you)單窗(chuang)(chuang)口(kou)(kou)和多窗(chuang)(chuang)口(kou)(kou)陣(zhen)列等不同規格。同時SHNTI也定(ding)制多孔氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)薄(bo)膜(mo)窗(chuang)(chuang)口(kou)(kou)。TEM氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)薄(bo)膜(mo)窗(chuang)(chuang)口(kou)(kou)

產品型號:
更新時間:2025-09-26
廠商性質:代理商
訪問量:9821
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品牌其他品牌供貨周期一個月以上


透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口
TEM氮化硅薄膜窗口產品概述:
與X射線用氮化硅窗口類似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

TEM氮化硅薄膜窗口

TEM氮化硅薄膜窗口

現在SHNTI可以提供透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗系列產品,規格如下:
外框尺寸:

  • 3 mm x 3 mm (窗口(kou)尺寸(cun):0.5 mm,薄膜厚度(du):50 nm)

  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚(hou)度:50 nm)

  • 3 mm x 3 mm (窗(chuang)口(kou)尺寸:1.0 mm,薄膜厚度(du):100 nm)

  • 窗(chuang)口類別:雙縫、九窗(chuang)格(3×3陣列)

邊框厚度: 200μm、381μm。
Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm
SHNTI也可以為用戶定制產品(30-200nm),但要100片起訂。
本產品為一次性產品,SHNTI不建議用戶重復使用,本產品不能進行超聲清洗,適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術(shu)指標:
表面(mian)平(ping)整度:
我(wo)們認為薄膜與其下的硅(gui)片同樣平整, TEM用氮化硅薄膜(mo)窗(chuang)口(kou)的表(biao)面粗糙度為:0.6-2nm。*適用于TEM表征。

親水性(xing)
該窗格呈疏水性,如果(guo)樣(yang)品取自水懸浮液,懸浮微粒則(ze)不能均(jun)勻地分布(bu)在薄(bo)(bo)膜(mo)上。用等(deng)離子蝕刻(ke)機對薄(bo)(bo)膜(mo)進(jin)(jin)行親水處理,可(ke)暫時獲得親水效果(guo)。雖然沒(mei)有對其(qi)使用壽(shou)命進(jin)(jin)行過測試,但預期(qi)可(ke)以獲得與同樣(yang)處理的鍍(du)碳TEM網格(ge)相(xiang)當(dang)的壽(shou)命。我們(men)可(ke)(ke)以生產此種蝕刻窗(chuang)格(ge),但(dan)無法保(bao)證(zheng)其(qi)使用壽(shou)命。如(ru)果實驗室有蝕刻工具也可(ke)(ke)對其(qi)進行相(xiang)應(ying)的處理提高其(qi)親水性能。



溫度(du)特(te)性:
氮化硅薄膜(mo)窗口產(chan)品是(shi)耐高溫產(chan)品,能夠承受1000度高溫,非常適合(he)在其(qi)表面(mian)利用(yong)CVD方法(fa)生長(chang)各種(zhong)納米材料。

化(hua)學特性(xing):
氮(dan)化硅薄膜(mo)窗口是惰性襯底。

應(ying)用簡介和優點:
1
適合TEMSEMAFMXPSEDX等的(de)對同(tong)一區域的(de)交叉配(pei)對表(biao)征(zheng)。
2
大窗(chuang)口尺寸(cun),適合TEM大角度(du)轉(zhuan)動(dong)觀察。
3
無碳、無雜質的清潔TEM觀測平(ping)臺。
4
背景(jing)氮(dan)化硅(gui)無(wu)定形、無(wu)特征(zheng)。
5
耐高溫、惰性襯(chen)底(di),適應各(ge)種聚合(he)物、納米(mi)材(cai)料、半導體材(cai)料、光學晶體材(cai)料和功能(neng)薄膜材(cai)料的制備環(huan)境,(薄膜直接沉積在窗(chuang)口上)。
6
生物和(he)濕細胞樣本的理想承載體(ti)。特(te)別是在等離子(zi)體(ti)處理后,窗口具有(you)很好的親水性。。
7
耐高溫、惰性襯底(di),也可以用于化學反應(ying)和退(tui)火(huo)效應(ying)的原位表征。
8
適合做為膠體(ti)、氣凝膠、有機材料和(he)納(na)米顆粒等的表征(zheng)實驗承載(zai)體(ti)。

氮(dan)化硅薄膜應用范圍非(fei)常廣,甚至有時使不可(ke)能變為可(ke)能,但(dan)所有應用都有無氮(dan)要求(qiu)(因樣本中有氮(dan)存在):
惰性基片可用(yong)于高溫(wen)環(huan)境下(xia),通過TEMSEMAFM(某些情況下(xia))對(dui)反(fan)應(ying)進(jin)行動態觀察。
作(zuo)為耐用基片,首先(xian)在TEM下,然后在SEM下對同(tong)一區域進行匹配(pei)"
作為耐(nai)用匹(pi)配基片(pian),對AFMTEM圖像(xiang)進行比(bi)較(jiao)。
聚(ju)焦離子束(FIB)樣本的裝載,我們*使用多孔薄膜,而非不間斷(duan)薄膜。


許多研究納米微(wei)粒,特別是含氮納米微(wei)粒的人員發現(xian)此種薄(bo)膜窗格(ge)在他們實驗中*。氣凝膠和(he)干(gan)凝膠的基(ji)本(ben)組成微(wei)粒尺寸極小,此項研究人員也同(tong)樣會發現(xian)氧(yang)化硅薄(bo)膜窗格(ge)的價值。
優(you)點(dian):
• SEM
應用中,薄膜背景不呈(cheng)現任何結構和特點。
• x-
射線(xian)顯微鏡(jing)中,裝載多個分析樣的*方法(fa)。
無氮
高(gao)溫(wen)應(ying)用,氮(dan)化硅薄膜(mo)在
1000°C高溫下仍能(neng)保持穩定的性能(neng)。

使用前(qian)清潔:
氮(dan)化硅(gui)薄膜窗格在(zai)使(shi)用前不需(xu)進行額外(wai)清潔。有時(shi)薄膜表面邊(bian)角處會散落(luo)個別氧化物或(huo)氮(dan)化物碎片(pian)。由(you)于單片(pian)網格需(xu)要從整(zheng)個硅(gui)片(pian)中分離,并對(dui)外(wai)框進行打磨,因此這(zhe)(zhe)些微(wei)小(xiao)碎片(pian)不可(ke)避(bi)免。盡管(guan)如此,我(wo)們(men)相信這(zhe)(zhe)些碎片(pian)微(wei)粒不會對(dui)您的實驗產生任(ren)何(he)影(ying)響。

如(ru)果(guo)用戶確實需要對這(zhe)些碎(sui)片進行(xing)清理,我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶(rong)液清潔有機物,用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶(rong)液清潔金屬。

通常不能用超聲波(bo)(bo)清(qing)洗器清(qing)潔薄膜,因超聲波(bo)(bo)可能使其(qi)粉碎性破裂。


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