技術參數：

IPNR-T1000 Thermoplastic nanoimprint resist
熱塑型
? Sub-10 nm resolution 分辨率低于10nm
? Low imprint pressure （< 20 bar） 低壓力壓印（< 20 bar）
? Low imprint temperature （< 100 ℃） 低溫壓力（< 100 ℃）

IPNR-T2000 Thermal curable nanoimprint resist
熱固化型
? Sub-10 nm resolution 分辨率低于10nm
? Low imprint pressure （< 1 bar） and Low curing temperature （< 100 ℃） 低壓力壓印（< 1 bar）以及低固化溫度（< 100 ℃）
? Short thermal curing time （< 60 s） 熱固化時間短（< 60 s）
? High O2 Plasma etching resistance 高氧等離子體刻蝕電阻
? Uniform film thickness 均一的膜厚度

IPNR-PC1000 Photo-curable nanoimprint resist （Free radical initiation）
光固化型納米壓印（自由基引發）
? Acrylate functionalized polysiloxane based resist 丙烯酸酯官能化聚硅氧烷抗蝕劑
? Vacuum or Nitrogen atmosphere operation 真空或者氮氣氣氛下操作
? Sub-10 nm resolution 低于10nm的分辨率
? Low imprint pressure （< 1 bar） and ultra-fast curing time （< 10 s） 低壓力壓印以及超快固化時間（< 10 s）
? Low UV-exposure dose 低紫外照射量
? High O2 Plasma etching resistance 高氧等離子體刻蝕電阻
? Uniform film thickness 均一的膜厚度

IPNR-PC2000 Photo-curable nanoimprint resist （cation intiation）
光固化納米壓印蝕劑（陽離子引發）
? Vinyl ether functionalized polysiloxane based resist 乙烯基醚官能化聚硅氧烷抗蝕劑
? Air atmosphere operation 空氣氣氛下操作
? Sub-10 nm resolution 分辨率低于10nm
? Low imprint pressure （< 1 bar） and ultra-fast curing time （< 1 bar） 低壓力壓印（< 1 bar）以及超快固化時間（< 1 bar）
? Low UV-exposure dose 低紫外照射量
? High O2 Plasma etching resistance 高氧等離子體刻蝕電阻
? Uniform film thickness 均一的膜厚度

IPNR-UL1000 Under-layer polymer
舉離型傳遞層材料
? Thermoplastic polymer for lift off process 熱塑聚合物發送過程
? Strong adhesion to up layer resists and substrates 強粘附抗蝕劑層以及材料

IPNR-UL2000 Under-layer polymer
刻蝕型傳遞層材料
? Thermoset polymer for etching mask process 熱固性聚合物刻蝕面罩過程
? Strong adhesion to up layer resists and substrates 強粘附抗蝕劑層以及材料

IPNR-UPM Quick mold fabrication material
快速模板制作材料
? Quick and easy mold fabrication 快速而簡單的塑造材料
? High resolution and low cost 高分辨率以及低成本
? Superb chemical and temperature resistance *的化學性以耐溫性
? Excellent adhesion to mold substrate 塑造優良的附著力基板
? Reliable mold release property 可靠的脫模性

IPNR-AP Chlorosilane based adhesion promoter
氯硅烷增粘劑
? Promoting adhesion between resists and substrates 促進和基材之間的附著力
? Vapor phase or solution processing 氣相或(huo)者液(ye)相處理

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