傳(chuan)感器(qi)具有動態力控制(zhi)，良好的線(xian)性(xing)，和精(jing)準的垂直分(fen)辨(bian)率等特性(xing)友(you)好的用戶界(jie)面和自動化測量可以適配大學、研發(fa)、生產等不同應(ying)用場景。

KLA是全球半導體在線檢測設備市場較大的供應商，在半導體、數據存儲、 MEMS 、太陽能、光電子以及其他領域中有著不俗的市占率。P-7是KLA公司的第八代探針式臺階儀系統，作為晶圓探針式輪廓儀/臺階儀歷經(jing)技術(shu)積累(lei)和不斷迭代更新，集合眾多技術(shu)優(you)勢。

二、 功能

晶圓探針式輪廓儀/臺階儀

設備特點：

臺階高度：幾納(na)米(mi)至1000um

微力(li)恒力(li)控制(zhi)：0.03mg至50mg

樣品全直徑掃描(miao)，無需圖像拼接

視頻：500萬(wan)像(xiang)素高(gao)分(fen)辨率彩色攝像(xiang)機(ji)

圓弧矯正：消除由于探(tan)針的(de)弧形運動(dong)引起的(de)誤差(cha)

生(sheng)產能力(li)：通(tong)過測(ce)序，模式識別和SECS/GEM實現全自動化(hua)

主要應用：

薄膜/厚膜臺階

刻蝕深度測量

光阻/光刻膠臺階

柔性薄膜

表面(mian)粗糙度/波(bo)紋度表征

表面曲率和輪廓分析

薄膜的2DStress量測

表面結構分析

表面3D輪廓成像

缺陷表征和分析

其(qi)他(ta)多(duo)種表面分析功能

三、應用案例

臺階高度

P-7可以提供納(na)米級到1000μm的(de)(de)2D和3D臺(tai)階(jie)(jie)高(gao)度的(de)(de)測量(liang)。 這使其能夠量(liang)化(hua)在蝕(shi)刻，濺(jian)射，SIMS，沉積，旋(xuan)涂，CMP和其他工(gong)藝期間沉積或(huo)去除的(de)(de)材(cai)(cai)料(liao)。P-7具(ju)有恒(heng)力控制功能，無論臺(tai)階(jie)(jie)高(gao)度如何(he)都可以動態調整并施加相同的(de)(de)微力。這保證了良好(hao)的(de)(de)測量(liang)穩(wen)定(ding)性并且(qie)能夠測量(liang)諸(zhu)如光刻膠的(de)(de)軟性材(cai)(cai)料(liao)。

紋理(li)：粗糙(cao)度和波紋度

P-7提(ti)供2D和(he)3D紋理測(ce)量(liang)并量(liang)化樣品的粗(cu)糙(cao)度(du)和(he)波(bo)紋度(du)。軟件濾鏡(jing)功能(neng)將測(ce)量(liang)值分為粗(cu)糙(cao)度(du)和(he)波(bo)紋度(du)部分，并計算(suan)諸(zhu)如(ru)均方根(gen)（RMS）粗(cu)糙(cao)度(du)之(zhi)類的參數。

紋理：粗(cu)糙(cao)度和(he)波紋度

P-7提供2D和3D紋(wen)(wen)理(li)測量并量化樣品的粗糙度和波紋(wen)(wen)度。軟(ruan)件濾(lv)鏡(jing)功能將測量值分為(wei)粗糙度和波紋(wen)(wen)度部分，并計算諸如均方根（RMS）粗糙度之類的參數。

應(ying)力(li)：2D和3D薄膜應(ying)力(li)

P-7能夠測(ce)量在生產包含多(duo)個工(gong)藝(yi)層的(de)半(ban)導(dao)體或化合物半(ban)導(dao)體器件(jian)期間所(suo)產生的(de)應(ying)(ying)力(li)。 使用(yong)應(ying)(ying)力(li)卡盤將(jiang)樣(yang)(yang)品支撐(cheng)在中(zhong)性位(wei)置(zhi)并(bing)精確測(ce)量樣(yang)(yang)品翹曲。然后通(tong)(tong)過應(ying)(ying)用(yong)Stoney方程，利用(yong)諸如(ru)薄膜沉積工(gong)藝(yi)的(de)形狀變化來計算應(ying)(ying)力(li)。2D應(ying)(ying)力(li)通(tong)(tong)過在直徑達200mm的(de)樣(yang)(yang)品上(shang)通(tong)(tong)過單次掃描(miao)測(ce)量，無需圖像(xiang)拼接。3D應(ying)(ying)力(li)的(de)測(ce)量采用(yong)多(duo)個2D掃描(miao)，并(bing)結(jie)合θ平臺在掃描(miao)之間的(de)旋轉對整個樣(yang)(yang)品表(biao)面進行測(ce)量。

缺陷復檢

缺陷(xian)(xian)復查用于(yu)測(ce)量如(ru)劃痕深度之類的(de)缺陷(xian)(xian)形貌。缺陷(xian)(xian)檢(jian)測(ce)設備找出(chu)缺陷(xian)(xian)并將其位置坐(zuo)標(biao)寫入KLARF文(wen)件。“缺陷(xian)(xian)復檢(jian)"功能讀取KLARF文(wen)件、對準樣本，并允許用戶選擇缺陷(xian)(xian)進行(xing)2D或(huo)3D測(ce)量。