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  • 碳化硅SiC長晶設備

    碳化硅SiC長(chang)(chang)(chang)晶設備 是實現高(gao)(gao)質(zhi)量SiC晶體(ti)生長(chang)(chang)(chang)、高(gao)(gao)純(chun)度原料合(he)(he)成(cheng)、高(gao)(gao)溫晶體(ti)熱處(chu)理的(de)專(zhuan)業設備。廣泛應(ying)用(yong)于SiC晶體(ti)生長(chang)(chang)(chang)、原料合(he)(he)成(cheng)、晶體(ti)熱處(chu)理領域(yu)。可以(yi)生長(chang)(chang)(chang)6/8英(ying)寸的(de)晶錠。

    更新時間:2024-06-17
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  • MPCVD金剛石長晶設備

    MPCVD金(jin)剛石(shi)長(chang)(chang)晶(jing)(jing)設備 Intelligent MPCVD Dimond Growth System (IMD)系(xi)列金(jin)剛石(shi)晶(jing)(jing)體生長(chang)(chang)系(xi)統,是實(shi)現高(gao)質量金(jin)剛石(shi)晶(jing)(jing)體生長(chang)(chang)、高(gao)純度晶(jing)(jing)體薄膜(mo)沉積、高(gao)溫晶(jing)(jing)體熱處理的專業設備。廣泛應用于金(jin)剛石(shi)晶(jing)(jing)體生長(chang)(chang)、原料沉積、晶(jing)(jing)體熱處理領(ling)域。

    更新時間:2024-06-17
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