碳化硅SiC長晶設備

是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體(ti)生長(chang)(chang)、原料合成(cheng)、晶體(ti)熱處(chu)理領(ling)域。可以生長(chang)(chang)6/8英寸的晶錠。

碳化硅SiC長晶設備

真(zhen)空爐腔系(xi)統(tong)較為(wei)限本(ben)底真(zhen)空值(zhi)達到≤5.0E-5Pa，升壓率(lv)≤3Pa/12h，保證晶體生長的(de)穩定性

．智能化生長及監(jian)(jian)測(ce)系統(tong)，實(shi)現多(duo)種制程(cheng)精(jing)確(que)定制，工藝(yi)優化，長晶全過程(cheng)實(shi)時(shi)監(jian)(jian)控，數(shu)據(ju)可(ke)視化存檔

．新型感應加(jia)熱(re)(re)線圈設(she)計，有效提高熱(re)(re)場加(jia)熱(re)(re)的均勻性和穩(wen)定性
．業內1st創的PIM自檢(jian)系統(tong)，有效減免(mian)制程時間浪(lang)費
．穩定可靠(kao)的水(shui)冷(leng)系(xi)統，實(shi)現(xian)了水(shui)道管路(lu)溫(wen)度、流量的實時監控，保證了(le)生長室(shi)溫(wen)場的穩定性
．可生產6英(ying)寸P級(ji)碳化(hua)硅(gui)襯底，微管缺陷(xian)密(mi)度＜0.5個／cm²，電阻率達0.015-0.0280