晶圓翹曲應力測量儀

優(you)勢

√ 全口(kou)徑(jing)均勻采樣(yang)測量(liang)，采樣(yang)間隔(ge)最少(shao)可至0.1mm

√ 同時具備翹(qiao)曲測量及應力測量功能

√ 直觀展現薄膜導致的晶圓(yuan)形變，可(ke)計算任意角(jiao)度的曲率及應力

√ 強大的附加(jia)模(mo)塊：薄膜應力變溫測量模(mo)塊（室溫到500℃）

√豐富的軟件分析功能，包括：三維翹曲圖、晶圓翹曲參(can)數統(tong)計（BOW，WARP等）、ROI分 析、薄膜應(ying)力(li)及分布、應(ying)力(li)隨時(shi)間變化、薄膜應(ying)力(li)變溫(wen)測量、曲率(lv)計(ji)算、多項(xiang)式(shi)擬合、空間濾波等多種(zhong)后處理算法。

適用對(dui)象

2 - 8 英(ying)寸/12 英寸(cun)拋光(guang)晶(jing)圓（硅(gui)(gui)、砷化(hua)鎵(jia)、碳化(hua)硅(gui)(gui)等）、圖形化(hua)晶(jing)圓、鍵合晶(jing)圓、封裝晶(jing)圓等；液晶基板玻璃；各類(lei)薄(bo)膜工藝處理的表(biao)面

適用領域

√ 半(ban)導體及玻璃晶(jing)圓的生產和質(zhi)量檢(jian)查

√ 半導體(ti)薄膜(mo)工藝的研(yan)究與開發

√ 半導體制(zhi)程和(he)封(feng)裝減薄工藝的過程控制(zhi)和(he)故(gu)障分析

檢測原理

√ 晶圓(yuan)制程中會在晶圓(yuan)表(biao)面反復沉積薄膜(mo)，基板與薄膜(mo)材料(liao)特性的差異導致晶圓(yuan)翹曲，翹曲和薄膜應力會對工藝良率產(chan)生(sheng)重要(yao)影(ying)響

√ 采用(yong)結構光反射成像方法測量晶(jing)圓的(de)三(san)維翹曲(qu)分(fen)布，通過翹曲(qu)曲(qu)率(lv)半(ban)徑測量來推(tui)算薄膜應力分(fen)布，具有非接觸、免(mian)機械掃(sao)描(miao)和高采(cai)樣率特(te)點，晶圓(yuan)全口徑測(ce)量時間低于(yu)30s

√ 通過(guo)Stoney公式及相關模(mo)型計算晶圓薄膜應力分(fen)布

晶圓翹曲應力測量儀