產品中心
Product Center
熱門搜索(suo):
Element美國EDAX能譜儀
EP6美國 Cascade Microtech EP6探針臺
TEM氮化硅薄膜窗口
NTEGRAPrima俄羅斯產全功能掃描探針原子力顯微鏡
Zeta-20三維光學輪廓儀
主動隔振臺ARISTT
石英/硅/聚合物模板高分辨率納米壓印模板(Mold for nanoimprint lithography)
P170全自動晶圓探針式輪廓儀/臺階儀
iNano高精度臺式納米壓痕儀
PLD/Laser-MBE脈沖激光沉積/分子束外延聯用系統
Lumina光學表面缺陷分析儀
P7晶圓探針式輪廓儀/臺階儀
納米團簇束流沉積系統
Profilm 3D經濟三維光學輪廓儀 可測樣
Solver P47俄羅斯產高性價比掃描探針顯微鏡原子力
納米壓印膠

產品簡介
VIL1000激光干涉光刻機 VIL系列納米圖形(xing)(xing)系統(激(ji)光干涉光刻機)具有快速可重構(gou)光束(shu)傳輸、主動圖形(xing)(xing)穩定和(he)精確樣品定位等強大功能。該系統可以通過使(shi)用標準2cm×2cm正方形(xing)(xing)或用戶(hu)定義(yi)形(xing)(xing)狀(zhuang)的(de)圖案場進行(xing)重復曝光,在8英寸大面積(ji)上產生各種(zhong)納米結構(gou),例(li)如1D光柵線和(he)2D柱(zhu)/孔圖案,周期(qi)從240 nm到1500 nm。
| 品牌 | 其他品牌 |
|---|
VIL1000激光干涉光刻機
VIL1000激光干涉光刻機


1、 可(ke)實現同一晶圓上不(bu)同納米結構的分區光刻(ke);
2、 制作(zuo)各種一維、二(er)維納米(mi)圖(tu)案;
3、 最小線寬低于50nm;
4、 與其他(ta)同類設備(bei)的功能對比圖如下:
電子束直寫 | 激光直寫(xie) | 紫外光刻機 | 激光干(gan)涉光刻機 | |
設備示例 | ![]() |
| ![]() | ![]() |
代表廠商 | 德國的Raith和Vistec, 日本的JEOL和Elionix | 海德堡和Raith | Eulitha | InterLitho |
代(dai)表性(xing)產品(pin)型號 | Raith EBPG Plus | 海(hai)德堡(bao) DWL 66+ | Eulitha PhableR 100 | VIL1000 |
主(zhu)要用(yong)途 | 高(gao)分辨(bian)率掩(yan)模(mo)版制(zhi)造和(he)納米(mi)結(jie)構的制(zhi)備 | 對分辨率要求(qiu)不高的掩模版制造和納米結構制備 | 分辨率適中(zhong)的納米結構(gou)制備(bei) | 大面積、低成本、高(gao)通量制備高(gao)分辨率周期(qi)性(xing)納(na)米結構,用(yong)于(yu)微納(na)光學(xue)、生(sheng)物芯(xin)片等新興應(ying)用(yong) |
刻寫的最(zui)小物(wu)理線寬 | <10nm | ~300nm | 60nm | 40nm |
價(jia)格和維(wei)護(hu)成本 | 高 | 中 | 中 | 較低(di) |
自(zi)動化程度 | 全自動 | 全自動 | 部(bu)分手動 | 全自動 |
設(she)備效率 | 低 | 低(di) | 高 | 高 |
需(xu)要掩模 | 否(fou) | 否 | 是 | 否 |
特(te)征尺寸調(diao)制難度 | 難,樣品(pin)需要重新刻寫 | 難,樣品需要重新刻寫 | 難,需要重新刻寫模板 | 容易,幾分鐘可(ke)實現 |