離子束沉積介紹：
離子束沉積作為(wei)納米(mi)結構(gou)的基(ji)本組(zu)成(cheng)單元，團(tuan)簇或納米(mi)顆粒在納米(mi)科學(xue)中具(ju)有(you)關鍵的地位(wei)。我(wo)們設計研制了(le)(le)兩套氣體(ti)聚(ju)(ju)集(ji)型團(tuan)簇源：基(ji)于熱蒸發的氣體(ti)聚(ju)(ju)集(ji)團(tuan)簇束流源和(he)磁控等(deng)離子體(ti)聚(ju)(ju)集(ji)型團(tuan)簇源。以(yi)團(tuan)簇源為(wei)中心構(gou)成(cheng)了(le)(le)團(tuan)簇束流實驗和(he)沉積系統。

在(zai)此(ci)基(ji)礎上我們開發了一系列金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)、合(he)(he)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)、氧化(hua)物、氮化(hua)物納(na)(na)(na)米(mi)粒(li)子(zi)(zi)(zi)束流的(de)制備(bei)流程(cheng)。涉及的(de)材料(liao)包括(kuo)：Ag、Al、Pb、Sn、Pd、Cr、V、Tb、Fe、Cu等純金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)團(tuan)簇(cu)(cu)及其(qi)合(he)(he)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)團(tuan)簇(cu)(cu)，C、Si、Ge、InSb、Te等非(fei)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)團(tuan)簇(cu)(cu)，SnO、CrO2、VO2、SiOx等氧化(hua)物團(tuan)簇(cu)(cu)，及BN、CN等氮化(hua)物團(tuan)簇(cu)(cu)。建立了反(fan)應等離子(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)氣(qi)相聚集(ji)制備(bei)亞穩相金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧化(hua)物納(na)(na)(na)米(mi)團(tuan)簇(cu)(cu)的(de)新(xin)(xin)工藝流程(cheng)，發展了基(ji)于中(zhong)頻(pin)脈沖磁控(kong)濺射的(de)反(fan)應等離子(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)氣(qi)相聚集(ji)模(mo)式(shi)的(de)團(tuan)簇(cu)(cu)源，能有效地通過(guo)(guo)(guo)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)前驅物獲(huo)得(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧化(hua)物團(tuan)簇(cu)(cu)。由這(zhe)種團(tuan)簇(cu)(cu)生長模(mo)式(shi)可(ke)獲(huo)得(de)一些(xie)在(zai)常規的(de)氣(qi)相沉(chen)積(ji)薄膜制備(bei)過(guo)(guo)(guo)程(cheng)中(zhong)難以(yi)(yi)形成(cheng)的(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧化(hua)物材料(liao)，例如：鐵磁性球形CrO2納(na)(na)(na)米(mi)顆(ke)粒(li)膜的(de)常溫低壓合(he)(he)成(cheng)。基(ji)于雙(shuang)靶磁控(kong)等離子(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)氣(qi)體(ti)(ti)聚集(ji)團(tuan)簇(cu)(cu)源，開發了雙(shuang)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)團(tuan)簇(cu)(cu)交替沉(chen)積(ji)及復合(he)(he)的(de)新(xin)(xin)工藝流程(cheng)，通過(guo)(guo)(guo)控(kong)制沉(chen)積(ji)過(guo)(guo)(guo)程(cheng)參數(shu)，實(shi)(shi)現合(he)(he)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)納(na)(na)(na)米(mi)顆(ke)粒(li)或雙(shuang)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)包裹(guo)納(na)(na)(na)米(mi)顆(ke)粒(li)的(de)氣(qi)相制備(bei)。這(zhe)為實(shi)(shi)現以(yi)(yi)廉價金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)合(he)(he)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)取(qu)代貴金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)材料(liao)，獲(huo)得(de)近距鄰接(jie)團(tuan)簇(cu)(cu)陣列納(na)(na)(na)米(mi)光電和(he)氣(qi)體(ti)(ti)傳感器件的(de)低成(cheng)本制備(bei)提供了基(ji)礎。

我(wo)們有(you)兩項關(guan)鍵(jian)指標:

l 在更低的功率下獲得更寬的可調沉積速率：<0.001nm/s~10nm/s at a source-sample distance of 200mm（for Cu） （500W power supply）

l 更高的束流準直度（高定向團簇束流）：Beam diameter 6mm at a source-sample distance 200mm（for Cu@ F3mm nozzle，zui小發散角2.7°）