電子束曝光系統ELS-F125具有以(yi)下優點：

l  超高(gao)書寫精度

- 5 nm 線(xian)寬精度(du) @125 kV

- 1.7 nm 電(dian)子束(shu)直徑&鄰近效(xiao)應小(xiao)化 @125 kV

l  大通量、均勻性(xing)好

- 寬(kuan)(kuan)視野書寫:500um視場下10 nm線寬(kuan)(kuan)

- 高束流下(xia)電(dian)子束直徑(jing)(jing)依然很小，大通(tong)量(liang)而不影響分辨(bian)率，2 nm電(dian)子束直徑(jing)(jing)@1 nA

l  界面用戶(hu)友好

基于Windows系統的(de)CAD和SEM界面:

-簡單易(yi)用的圖案設計功能

-易于控制的電子束條件(jian)

二、電子束曝光系統主要功能：

l  主要(yao)應(ying)用

納米器件的微結構

集成光學器件，如(ru)光柵(zha)，光子晶體等

NEMS結(jie)(jie)構(gou)，復(fu)雜(za)精細結(jie)(jie)構(gou)

光刻掩模(mo)板，壓印模(mo)板

l  技術(shu)能力

三、應用：